Skont l-istruttura tal-kristall, l-azzar tas-silikon jista 'jinqasam f'żewġ kategoriji ewlenin:
Azzar tas-silikon mhux orjentat: L-istruttura tal-kristall ta 'azzar tas-silikon mhux orjentat hija każwali u m'għandha l-ebda orjentazzjoni ovvja. Dan l-azzar tas-silikon jintuża prinċipalment biex jagħmel il-qlub ta 'muturi u transformers minħabba li għandu uniformità u stabbiltà tajba fil-kampi manjetiċi.
Azzar tas-silikon orjentat lejn il-qamħ: L-istruttura tal-kristall tal-azzar tas-silikon orjentat lejn il-qamħ għandha orjentazzjoni ovvja, jiġifieri, il-ħbub tal-azzar tas-silikon huma rranġati prinċipalment f'direzzjoni waħda. Dan it-tip ta 'azzar tas-silikon għandu intensità ogħla ta' induzzjoni manjetika u telf ta 'ħadid aktar baxx fil-kamp manjetiku, għalhekk ħafna drabi jintuża biex jimmanifattura transformers ta' effiċjenza għolja.
Il-proċess tal-manifattura huwa wkoll fattur importanti fil-klassifikazzjoni tal-azzar tas-silikon. Skont proċessi ta 'manifattura differenti, l-azzar tas-silikon jista' jinqasam f'azzar tas-silikon irrumblat bis-sħana u azzar tas-silikon irrumblat fil-kesħa. L-azzar tas-silikon irrumblat bis-sħana huwa prodott permezz ta 'proċess ta' rolling bis-sħana f'temperaturi għoljin, filwaqt li l-azzar tas-silikon irrumblat fil-kesħa huwa prodott permezz ta 'proċess ta' rolling kiesaħ f'temperatura ambjentali. L-azzar tas-silikon irrumblat fil-kesħa għandu preċiżjoni ogħla u proprjetajiet elettromanjetiċi aħjar, għalhekk ħafna drabi jintuża għall-manifattura ta 'tagħmir elettriku high-end.
B'mod ġenerali, il-klassifikazzjoni tal-azzar tas-silikon hija diversa, u metodi ta 'klassifikazzjoni differenti jirriflettu l-karatteristiċi u l-użi differenti tal-azzar tas-silikon. Bl-avvanz kontinwu tax-xjenza u t-teknoloġija u l-iżvilupp mgħaġġel tal-industrija tal-enerġija u tal-elettriku, il-klassifikazzjoni u l-applikazzjoni tal-azzar tas-silikon se jkomplu jiġu estiżi u ottimizzati.
